"EN QUE CONSISTE EL PROCESO DE FABRICACIÓN DE CIRCUITOS INTEGRADOS "
1º PREPARACIÓN DE LA OBLEA:
Consiste en que las propiedades eléctricas y mecánicas de la oblea dependen de la orientación de los planos cristalinos, concentración e impurezas existentes. Para aumentar la resistividad eléctrica del semiconductor, se necesita alterar las propiedades eléctricas del silicio a partir de un proceso conocido como dopaje.
2º OXIDACIÓN: Consiste al proceso químico de reacción del silicio con el oxígeno para formar Dióxido de Silicio Para acelerar dicha reacción se necesitan de hornos ultralimpios especiales de alta temperatura. El Oxígeno que se utiliza en la reacción se introduce como un gas de alta pureza (proceso de “oxidación seca”) o como vapor (“oxidación húmeda”).
3º DIFUCION: Consiste un método mediante el cual se introducen átomos de impurezas en el Silicio para cambiar su resistividad; por lo tanto, para acelerar el proceso de difusión de impurezas se realiza a altas temperaturas esto para obtener el perfil de dopaje deseado.
4º INPLANTACION DE IONES: consiste en la aceleración y proyección de iones contra una superficie. Este penetra en la red cristalina produciendo una alteración superficial en el comportamiento mecánico y qui mico.
5º DEPOSICIÓN POR MEDIO DE VAPOR QUÍMICO: consiste en la reaccion de una mezcla de gases en el interior de una cámara de vació (reactor) para dar lugar a la formación de un material en forma de capa delgada. los subproductos de la reaccion son evacuados hacia el exterior mediante un sistema de alta velocidad de bombeo.
6º METALIZACION: consiste en la fundición de un metal (zinc, zinc-aluminio), y el rociado del mismo sobre la superficie a proteger. La adhesión del recubrimiento se logra mediante la unión mecánica de las partículas metálicas con las rugosidades del sustrato.
7º FOTOLIGRAFIA: El proceso consiste en transferir un patrón desde una fotomáscara a la superficie de una oblea. El silicio, en forma cristalina, se procesa en la industria en forma de obleas.
8ºEMPACADO: consiste en contener varios cientos de circuitos o chips terminados, cada chip puede contener de 10 o más transistores en un área rectangular, típicamente entre 1 mm y 10 mm por lado.
9ºMOSFET: Consiste en su diseño que a esto se le caracteriza por su voltaje de umbral y sus tamaños de dispositivos, en general, los MOSFET (tipo n o p) se diseñan para que tengan voltajes de umbral de magnitud similar para un proceso particular; por lo tanto, los circuitos MOSFET son mucho más flexibles en su diseño.
10º RESISTENCIAS: Consiste en que cuando se diseña un valor real de una resistencia se hace a través del cambio de la longitud y el ancho de las regiones difundidas. Todas las resistencias difundidas están autoaisladas por las uniones pn polarizadas a la inversa. Sin embargo una desventaja es que están acompañadas por una sustancial capacitancia parásita de unión que los hace no muy útiles en el uso de frecuencias altas.
11º CAPACITORES: consiste en un campo eléctrico que se representa por medio de líneas de flujo eléctrico, que se dibujan para indicar la intensidad del campo eléctrico, que se dibujan para indicar la intensidad del campo eléctrico en cualquier punto en torno al cuerpo cargado.
12º TRANSISTORES PNP LATERAL: consiste en la separación de entre las dos difusiones determina el ancho de la base. Como el perfil de dopaje no está perfeccionado para las uniones base-colector, y como el ancho de la base está limitado por la resolución de fotolitográfica mínima, el desempeño de este dispositivo no es muy bueno.
13ºRESISTORES DE BASE P Y BASE ESTRECHA: consiste en la base es, por lo general, de un nivel de dopaje relativamente bajo y con una profundidad de unión moderada, es adecuada para resistores de valor medio.
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